品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGY80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":36000,"9999":60,"MI+":3600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB-4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB-4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB-4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":36000,"9999":60,"MI+":3600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":36000,"9999":60,"MI+":3600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":36000,"9999":60,"MI+":3600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N65FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:177ns
反向恢复时间:72ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA80H65DFB
关断延迟时间:280ns
导通损耗:2.1mJ
开启延迟时间:84ns
类型:沟槽型场截止
关断损耗:1.5mJ
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
反向恢复时间:85ns
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极脉冲电流(Icm):240A
栅极电荷:414nC
集电极截止电流(Ices):650V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.5mJ
开启延迟时间:84ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:414nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW80H65DFB
关断延迟时间:280ns
导通损耗:2.1mJ
开启延迟时间:84ns
类型:沟槽型场截止
关断损耗:1.5mJ
集电极电流(Ic):2V@15V,80A
反向恢复时间:85ns
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极脉冲电流(Icm):240A
栅极电荷:414nC
集电极截止电流(Ices):650V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: