包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGY120T65SPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):360A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:3.8mJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:125nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.05V@15V,120A
导通损耗:6.6mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGY120T65SPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):360A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:3.8mJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:125nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.05V@15V,120A
导通损耗:6.6mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYA20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:650µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":107670}
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IKN01N60RC2ATMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.3V@15V,1A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:59.5ns
关断损耗:0.0135mJ
开启延迟时间:5.6ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:9nC
导通损耗:0.0251mJ
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":100}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D3DPP-M0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:210µJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:37nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.2V@15V,17A
导通损耗:200µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: