品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG80N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG80N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:12mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
栅极电荷:60nC@10V
反向传输电容:190pF@25V
漏源电压:900V
类型:1个N沟道
功率:150W
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1Ω@10V,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: