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    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 4.75V@250μA
    当前匹配商品:10+
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    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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