品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KL3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100mW
阈值电压:1.1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:9pF@16V
导通电阻:450mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP236N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP236N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP236N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP236N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KL3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100mW
阈值电压:1.1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:9pF@16V
导通电阻:450mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP236N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: