采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：906pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7540ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：12A€9A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7137DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：585nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20000pF@10V
连续漏极电流：42A
类型：P-Channel
导通电阻：1.95mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7137DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：585nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20000pF@10V
连续漏极电流：42A
类型：P-Channel
导通电阻：1.95mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N-Channel
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2003UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：177nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8352pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
