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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：16711，"23+"：596037，"24+"：82385}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4406，"21+"：13111，"22+"：15233，"23+"：15806}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS025N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€24W
阈值电压：2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
