首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR4615TRL 起订89个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR4615TRL 起订89个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2830}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR4615TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@50V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@21A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:1.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7NK40ZT4 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD7NK40ZT4 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7NK40ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.7A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧