采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M21-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：593pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M21-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：593pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M21-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：593pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-25MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.24mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-25MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.24mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-25MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.24mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
