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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
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栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
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功率：65.7W
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类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
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输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
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功率：65.7W
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类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
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类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
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输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
栅极电荷：83nC@10V
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输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
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输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
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输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA32DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.7W
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输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
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栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
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栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@10V
连续漏极电流：51A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2.35V@150µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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