采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12748}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5525pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5525pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5302TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5302TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5302TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5525pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5302TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€100W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
