品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R800CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R4-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:858pF@12V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:5.69mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R4-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:858pF@12V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:5.69mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R800CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: