品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF4905STRL
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7623DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8960pF@15V
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF4905STRL
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8960pF@15V
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":151888}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH310N10F7-6
工作温度:-55℃~175℃
功率:315W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7,"19+":390,"21+":237}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2905}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: