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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
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阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：23mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：10A
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连续漏极电流：10A
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
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功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
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功率：1.42W
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
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功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：23mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
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功率：1.42W
类型：N沟道
输入电容：478.9pF@15V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
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功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
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