采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF5210STRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF5210STRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF5210STRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
