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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM70060EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB048N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4.6V@264µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@60A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB048N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4.6V@264µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@60A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA37EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB075N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2369}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB044N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4.6V@264µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@75V
连续漏极电流：174A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@87A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB044N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4.6V@264µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@75V
连续漏极电流：174A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@87A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3710ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2930pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB075N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R3-30YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6227pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3710ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2930pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
