品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R5EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1392pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP203-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:21A€75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R5EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1392pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB16EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1418pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: