采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
