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    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 250nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15525pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB011N04NGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB011N04NGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB011N04NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@20V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订218个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订218个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":563,"23+":593}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1651

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@50V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@50V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1651

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@50V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@50V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8650pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4310TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@50V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"23+":10000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"23+":10000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订1600个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订1600个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8650pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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