采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000，"21+"：123000，"22+"：1500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
