品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3781,"17+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3457-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: