品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17347,"24+":32620}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17347,"24+":32620}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5950pF@15V
连续漏极电流:23A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D5N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9690pF@15V
连续漏极电流:218A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
阈值电压:2.25V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:5950pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€89W
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
栅极电荷:63nC@4.5V
工作温度:-40℃~150℃
连续漏极电流:23A€150A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6613TRPBF
阈值电压:2.25V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:5950pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€89W
导通电阻:3.4mΩ@23A,10V
栅极电荷:63nC@4.5V
工作温度:-40℃~150℃
连续漏极电流:23A€150A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: