采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4477DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@10V
连续漏极电流：26.6A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4477DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@10V
连续漏极电流：26.6A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4477DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@10V
连续漏极电流：26.6A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：308，"21+"：2953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4477DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@10V
连续漏极电流：26.6A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
