品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR015P03TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2370,"21+":6804}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD4N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2370,"21+":6804}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD4N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: