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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：280mΩ@7A，10V
功率：138W
类型：N沟道
连续漏极电流：14A
栅极电荷：23.5nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD280A60
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1N200P3HV-TRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
