采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
输入电容：14920pF@10V
栅极电荷：214nC@10V
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10870pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
