采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA29
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
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晶体管类型：NPN
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
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特征频率：125MHz
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
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