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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：180000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：600mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：75000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：2759，"19+"：56152}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：350mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：38698}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：300mW
晶体管类型：2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
输入电阻：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}
输入电阻：10kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
ECCN：EAR99
晶体管类型：PNP - 预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
输入电阻：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：6000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
