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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：15000，"19+"：19400，"22+"：176，"MI+"：2422}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ120N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NS20T4
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ450N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@22.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD051N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
