品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF63UNEX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:395mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:289pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:42pF@10V
导通电阻:57mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF63UNEX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:395mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:289pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:42pF@10V
导通电阻:57mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:4.3nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B03E6TA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.16nF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDE-7
功率:610mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@4.5V,7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2240
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:740pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: