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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
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输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
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输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2013UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：25.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2453pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1537pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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