品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KE-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1779pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KWA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1779pF@10V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: