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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6623TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：1.4W€42W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：16A€55A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5.435W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5.435W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15UNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5.435W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：0623
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8401DB-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5.435W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5.435W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
