采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：903，"06+"：222917，"08+"：7649，"09+"：6000，"9999"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
