品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1163}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:6A€18A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:6A€18A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€660mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.039nF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30XPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ2416_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1177pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30XPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:6A€18A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:6A€18A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€660mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.039nF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: