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    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 900mA
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2012SN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178.5pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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