采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17500，"13+"：12500，"14+"：927500，"MI+"：73870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17500，"13+"：12500，"14+"：927500，"MI+"：73870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
工作温度：-50℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
