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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
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规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
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工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
功率：780mW€1.8W
类型：N沟道
连续漏极电流：3.8A
栅极电荷：16nC@8V
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
输入电容：620pF@10V
ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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