采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3000，"11+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：66000，"13+"：93456}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB42UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV32UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：66000，"13+"：93456}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB42UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV32UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV32UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB28UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
