品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@25V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€291W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7630pF@50V
连续漏极电流:36A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:3.8V@93µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:21A€139A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@13µA
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLS4030TRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11490pF@50V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@110A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2832pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10D3
阈值电压:4V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG014N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:37A€366A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: