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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V，600mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V，600mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V，600mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V，600mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
