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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
输入电容：830pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
阈值电压：5.5V@250µA
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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