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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1869pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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