品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:29.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.05nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: