销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.1V@200μA
连续漏极电流:48A
功率:830mW€69W
输入电容:1.975nF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.1V@200μA
连续漏极电流:48A
功率:830mW€69W
输入电容:1.975nF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.1V@200μA
连续漏极电流:48A
功率:830mW€69W
输入电容:1.975nF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.1V@200μA
连续漏极电流:48A
功率:830mW€69W
输入电容:1.975nF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: