采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
