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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001ZPTL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000，"14+"：6000，"17+"：117000，"20+"：10242}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：76000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001ZPTL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P15FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001ZPTL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001ZPTL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：138000，"13+"：5876，"16+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01S-K-TL-E
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1535
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZM001P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001ZPTL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
