品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:6.4mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:6.4mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2649pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:6.4mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4599,"23+":3958}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:6.4mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2649pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: