品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
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规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
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功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
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功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
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功率:188W
连续漏极电流:80A
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
输入电容:7300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
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