品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6688
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3845pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6688
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3845pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6688
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3845pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
功率:61W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:84A
栅极电荷:20.5nC@10V
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1324pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
功率:61W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:84A
栅极电荷:20.5nC@10V
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1324pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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